પ્રકાશ તરંગનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $\vec E = 10^{-3} \cos \left( \frac{2\pi x}{5 \times 10^{-7}} - 2\pi \times 6 \times 10^{14} t \right) \hat x \, N/C$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ $2 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ................ $V$ છે.

  • A
    $0.48$
  • B
    $2.48$
  • C
    $0.72$
  • D
    $2$

Explore More

Similar Questions

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $300\, nm$ થી બદલીને $400\, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે ................ $V$ છે $\left( \frac{hc}{e} = 1240\, nm \cdot V \right)$

એક ધાતુની સપાટી પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે ચોક્કસ તીવ્રતા અને આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. જો પ્રકાશની તીવ્રતા ઘટાડીને તેના મૂળ મૂલ્યના એક-ચતુર્થાંશ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE)$ કેટલી થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, $y$-અક્ષ પર સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ અને $x$-અક્ષ પર આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચે દોરેલા આલેખનો ઢાળ કેટલો હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$)

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14\, eV$ છે. જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.60\, V$ દ્વારા ફોટો કરંટ શૂન્ય કરવામાં આવે,તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો. (પરિણામ $nm$ માં)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે પ્રકાશના બિંદુવત ઉદગમનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. જો ઉદગમને ઉત્સર્જક ધાતુથી દૂર લઈ જવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo